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    图片信息
    TC58NYG2S0HBAI6图片
    基本技术信息:
  • 电子器件型号:TC58NYG2S0HBAI6
  • 原始制造厂商:Kioxia,东芝半导体
  • 技术标准参数:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
  • 产品应用分类:存储器
  • 点击此处下载TC58NYG2S0HBAI6的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:TC58NYG2S0HBAI6
  • 制造商:Kioxia America, Inc.
  • 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量:4Gb(512M x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:25ns
  • 访问时间:25ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:67-VFBGA
  • TC58NYG2S0HBAI6均从Kioxia代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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